規(guī)格型號(hào)：65746919
頻率：4~55MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
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產(chǎn)品描述：SMI晶振,99SMOHG晶振,SPXO振蕩器,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻...

SMI晶振,99SMOHG晶振,SPXO振蕩器,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
SMI是Crystal Technology的新興領(lǐng)導(dǎo)者。
我們積極為電子社會(huì)做出貢獻(xiàn)，在穩(wěn)步的研究和努力的基礎(chǔ)上，快速開發(fā)先進(jìn)的水晶產(chǎn)品。
我們專注于最新的SMD版本的晶體單元，時(shí)鐘OSC，TCXO，VCXO，OCXO和MCF。并提供高質(zhì)量和高穩(wěn)定性的產(chǎn)品，支持高可靠性數(shù)據(jù)，頻率范圍從16.000kHz（低）到350.000MHz（高），嚴(yán)格的質(zhì)量控制和嚴(yán)格的運(yùn)輸檢查。
SMI晶振是日本有名的頻率元件制造商,主要研發(fā)生產(chǎn)石英晶體,有源晶體振蕩器等.SMI Crystal擁有先進(jìn)的生產(chǎn)設(shè)備以及完善的服務(wù)體系,獲得廣大用戶一直好評(píng). 并吸引眾多對(duì)SMI晶振感興趣的客戶前來采購,SMI晶振公司所制作出來的晶振有保障,性能優(yōu)越,價(jià)格合理,服務(wù)一流.
多年來SMI晶振公司獨(dú)自開發(fā)了多款受市場(chǎng)歡迎的SIM石英晶振型號(hào),而且用途性廣,為各行各業(yè)的發(fā)展做出了一定的貢獻(xiàn),被更多業(yè)界人士知曉SMI晶振的魅力,并占據(jù)一定的位置,一直致力于研發(fā)生產(chǎn)更多優(yōu)質(zhì)的有源晶振,超小型晶振,石英晶體振蕩器等產(chǎn)品.SMI晶振,99SMOHG晶振,SPXO振蕩器.

Item		Specifications
General part number		99SMOHG* 1
Frequency range		4.000 MHz to 55.000 MHz
Standard frequencies (MHz)		5.000, 10.000, 12.000, 16.000, 20.000, 24.000, 32.000, 40.000, 44.000
Frequency stability* 2 (over all conditions)		99SMOHG(F): ±15 ppm over -40゜C to +85゜C 99SMOHG(G): ±10 ppm over -40゜C to +85゜C 99SMOHG(H): ±8 ppm over -40゜C to +85゜C
Operating Conditions	Operating temperature	-40゜C to +85゜C (Standard)
	Supply voltage (V DD )	+1.8V, +2.5V, +3.0V or +3.3V DC ± 10%
	Stand-by control voltage (Pin#1)	V IH : 70% V DD min. V IL : 30% V DD max.* 3
Absolute Max. Ratings	Supply voltage	-0.3V to +4.0V DC
	Storage temperature	-40゜C to +85゜C
Input current (Pin#1 = Open or V IH )		7.5 mA max. (no load)
Stand-by current* 2 (Pin#1 = V IL )		10 μA max. (Pin#1 = V IL )
Output (-40゜C to +85゜C)	Symmetry	45% to 55% at 1/2 V DD level
	Rise and fall times	5 ns max. (10% V DD to 90% V DD level)
	0 Level	V OL : 10% V DD max.
	1 Level	V OH : 90% V DD min.
	Load	15 pF max. (CMOS)
Disable delay time		100 ns max.
Enable delay time		10 ms max.
Start-up time		10 ms max.
SSB phase noise (at V DD = +3.3V & 48.000 MHz)		-135 dBc / Hz, Typical at 1 kHz offset -162 dBc / Hz, Typical at 1 MHz offset
RMS jitter (12 kHz to 20.000 MHz band)		168 fs, Typical (at VDD = +1.8V & 48.000 MHz)
Reflow condition		+250゜C ±10゜C for 10 seconds +170゜C ±10゜C for 1 to 2 minutes (preheating)

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機(jī)械振動(dòng)的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如：壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容（請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.SMI晶振,99SMOHG晶振,SPXO振蕩器.

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